Полуполярные широкозонные III–N-слои на кремниевой подложке: эпитаксия с контролем свойств структур (обзор)

Обобщены экспериментальные результаты последних лет по синтезу полуполярных широкозонных III–N-слоев на наноструктурированной кремниевой подложке. Идея синтеза включает формирование боковых стенок Si(111) на поверхности кремния, затем эпитаксиальное зарождение слоя в направлении "$c$" кристалла с последующим слиянием блоков в полуполярном направлении поверхности. Показаны примеры эпитаксии с контролем ориентации полуполярных AlN(10-11)-, GaN(10-11)-, GaN(11-22)-слоев, синтезированных на наноструктурированных Si(100), Si(113) подложках методами газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Представлены резюме и перспективы дальнейших разработок в области оптоэлектроники на основе платформы “полуполярный GaN на Si”.