Дефектные моды фотонного кристалла с проводящим нанослоем на изолирующей подложке

Исследовано возникновение дефектной моды в запрещенной зоне одномерного фотонного кристалла с диэлектрическим заполнением, обусловленной объемным нарушением периодичности структуры при наличии проводящих нанослоев, нанесенных на изолирующие подложки. Экспериментальные данные подтверждают результаты расчетов амплитудно-частотных характеристик, выполненных с использованием метода матрицы переноса, демонстрируют возникновение дефектной моды в запрещенной зоне в X-диапазоне частот при толщинах проводящих слоев 100–140 nm и величинах поверхностного сопротивления в диапазоне значений 7–200 $\Omega$/sq. Реализация эффекта прозрачности фотонного кристалла с проводящим нанослоем на частоте дефектной моды или эффекта подавления дефектной моды достигается выбором соотношения между продольным размером нарушения и длиной стоячей волны. Описана зависимость коэффициента поглощения электромагнитной волны в проводящем нанослое от направления распространения волны через фотонный кристалл, степень проявления которого определяется величиной напряженности электрического поля в месте расположения нанослоя.