Влияние анизотропии на термоупругие напряжения в цилиндрических кристаллах оксида галлия, выращиваемых из расплава

Исследование термических напряжений в кристаллах, выращиваемых из расплава, имеет большое значение для оптимизации режимов роста. Появление новых перспективных материалов, таких как оксид галлия, требует проведения расчетов напряжений с учетом анизотропии тепловых и упругих свойств материала. Проведено исследование влияния анизотропии на распределение термоупругих напряжений в тонких кристаллических стержнях оксида галлия. Приведены приближенные формулы для компонент тензора напряжений, полученные с помощью асимптотического интегрирования уравнений термоупругости с учетом прямолинейной анизотропии общего вида. Проведено сравнение величин напряжений для двух направлений выращивания. Показано, что выбор ориентации направления выращивания позволяет управлять величиной и распределением термоупругих напряжений, возникающих в кристаллах оксида галлия при их выращивании из расплава.