RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2023, том 93, выпуск 9, страницы 1329–1339 (Mi jtf7168)

Физическое материаловедение

Влияние варисторного эффекта и контактных явлений на характеристики твердотельных литий-ионных аккумуляторов с полупроводниковыми электродами

А. С. Рудый, А. А. Мироненко, В. В. Наумов, А. Б. Чурилов, С. В. Курбатов, Ю. С. Егорова, Е. А. Козлов

Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН, 150007 Ярославль, Россия

Аннотация: Приведены результаты измерения зарядно-разрядных характеристик твердотельных тонкопленочных литий-ионных аккумуляторов с нанокомпозитным анодом на основе твердого раствора $a$-Si(Al). Показано, что появление особенности (ступени) на зарядной характеристике аккумуляторов связано с компенсацией $a$-Si(Al) и сменой дырочной проводимости на электронную вследствие литирования электрода в процессе заряда. Выполнены измерения импеданса твердотельного тонкопленочного литий-ионного аккумулятора электрохимической системы LiCoO$_2$–LiPON–Si@O@Al в интервале температур от -20 до 50$^\circ$C. Предложена структурная модель аккумулятора и рассчитаны параметры структурных элементов модели, при которых экспериментальные диаграммы Найквиста аппроксимируются наилучшим образом. На основании результатов измерения вольт-амперных характеристик методом циклической вольтамперометрии показано, что высокое сопротивление электродов в составе аккумулятора обусловлено контактом металл-полупроводник и варисторным эффектом электродного материала. Полученные результаты вносят существенные коррективы в интерпретацию импеданс-спектров и структурные модели твердотельных литий-ионных аккумуляторов на основе полупроводниковых материалов.

Ключевые слова: тонкопленочный твердотельный литий-ионный аккумулятор, полупроводник, нанокомпозит, импеданс-спектроскопия, барьер Шоттки, варисторный эффект.

Поступила в редакцию: 05.05.2023
Исправленный вариант: 10.07.2023
Принята в печать: 12.07.2023

DOI: 10.21883/JTF.2023.09.56220.120-23



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025