Влияние ионов Li на мемристорные свойства конденсаторных структур на основе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$

Выявлено влияние Li, B и состава металлических контактов на процессы резистивного переключения в мемристивных структурах металл/нанокомпозит/диэлектрик/металл. После полевого воздействия в структурах Cu/(Co$_{50}$Fe$_{50}$)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$/s-LiNbO$_3$/Cu/ситалл, Cu/(Co$_{50}$Fe$_{50}$)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$/d-LiNbO$_3$/Cu/ситалл и Cu/(Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_x$(SiO$_2$)$_{100-x}$/d LiNbO$_3$/Cu/ситалл при $x<$ 13 at.% обнаружено остаточное напряжение (до 16 mV), обусловленное электромиграцией ионов Li, приводящее к “реверсивному” виду гистерезиса ВАХ и нестабильности временных зависимостей индуцированных резистивных состояний. В структурах Cu/(Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$/s-LiNbO$_3$/Cu/ситалл, Cr/Cu/Cr/(Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$/s-LiNbO$_3$/Cr/Cu/Cr/ситалл, содержащих B, величина остаточного напряжения уменьшается за счет образования химических соединений B c перколированными атомами Li. При ограничении электромиграции ионов Li основным механизмом резистивного переключения выступают процессы электромиграция вакансий кислорода в слое диэлектрического оксида. Подавление остаточного напряжения в структуре Cr/Cu/Cr/(Co$_{50}$Fe$_{50}$)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$/s-LiNbO$_3$/Cr/Cu/Cr/ситалл за счет введения буферной прослойки Cr, не растворяющей Li, приводит к отсутствию биполярного резистивного переключения в данных структурах.