Мемристорные наноструктуры на основе фазового перехода биграфен/диаман

Исследованы углеродные наноструктуры на основе локального структурного фазового перехода биграфен/диаман, полученные переносом двух слоев графена на подложку La$_3$Ga$_5$SiO$_{14}$ и облучением их электронным пучком через слой полиметилметакрилата. Облучение структуры привело к локальной функционализации биграфена кислородом и водородом с образованием $sp^3$-связей и фазовому переходу биграфен-диаман, предсказанному ранее теоретически. Изменения интенсивности и положения пиков в спектрах комбинационного рассеяния облученного биграфена и увеличение его сопротивления указывают на локальный фазовый переход. Теоретические расчеты модифицированной структуры биграфена на La$_3$Ga$_5$SiO$_{14}$ и экспериментальные измерения доли $sp^3$-гибридизованных атомов углерода свидетельствуют об образовании нанокластеров диамана и возможности локального формирования наноструктур, мемристивные состояния которых можно контролировать при малых токах и напряжениях смещения.