Формирование нанокристаллов и аморфных нанокластеров германия в пленках GeO[SiO] и GeO[SiO$_2$] с использованием электронно-пучкового отжига

Проведены электронно-пучковые отжиги для формирования аморфных и кристаллических кластеров германия в пленках GeO[SiO] и GeO[SiO$_2$], осажденных на подложках из кварца и монокристаллического кремния. С помощью электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии пропускания и отражения света были исследованы структурные трансформации пленок и их оптические свойства. Показано, что аморфные нанокластеры германия присутствуют в исходной пленке GeO[SiO], а в исходной пленке GeO[SiO$_2$] они не наблюдаются. Найдены режимы электронно-пучкового отжига, необходимые для формирования нанокристаллов германия в пленках GeO[SiO] и GeO[SiO$_2$]. Показано, что при одинаковых параметрах отжига доля кристаллической фазы германия в пленках GeO[SiO] меньше, чем в пленках GeO[SiO$_2$]. Обнаружено, что доля кристаллической фазы при одинаковых параметрах отжига больше для пленок на подложке из кварца, чем на подложке из монокристаллического кремния. Были определены размеры нанокристаллов германия, сформированных в результате электронно-пучковых отжигов.