Метод регистрации потенциала зарядки диэлектриков при ионном облучении по сдвигу границы тормозного рентгеновского спектра

Предложен метод измерения высоковольтных потенциалов по сдвигу границы тормозного рентгеновского спектра при зарядке диэлектриков ионами. При облучении ионами Xe$^+$ для генерации мягкого тормозного рентгеновского излучения предложено использовать зондирующий пучок электронов. Для нивелирования эффекта компенсации заряда на поверхности подобрана величина тока зондирующего пучка электронов. Получены значения равновесных потенциалов зарядки типичных изоляторов (Al$_2$O$_3$-керамика, Al$_2$O$_3$ (сапфир), SiO$_2$ и тефлон) при разных энергиях облучения ионами. Проведено сравнение полученных данных с результатами спектрометрических исследований.