Влияние разориентации подложки на свойства $p$-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии

В качестве одного из подходов по совершенствованию $p$-HEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor) проведено исследование влияния разориентации подложек GaAs на морфологию поверхности, структуру и электрофизические свойства псевдоморфных гетероструктур, а также параметры транзисторов на их основе. Методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD) в едином технологическом цикле осуществлялось формирование гетероструктур на вицинальных подложках с ориентацией (100) и разориентированных на 2$^\circ$ к (110). Установлено, что на разориентированных подложках рост структурно-согласованных и напряженных эпитаксиальных слоев происходит по слоисто-ступенчатому механизму с образованием макроступеней. На вицинальных подложках наблюдалось формирование моноатомных ступеней роста. Рассмотрены сравнительные характеристики $p$-HEMT, полученных с использованием двух типов подложек.