Зависимость энергии отдачи от кристаллографических направлений при бомбардировке монокристалла медленными ионами

Методом молекулярной динамики с использованием дальнодействующего потенциала взаимодействия проведены расчеты энергии отдачи при бомбардировке поверхностной грани (001) монокристалла ванадия ионами K$^+$ ($E_0$ = 10–50 eV) с начальными траекториями движения, лежащими в плоскостях, перпендикулярных плоскости (001) и параллельных плоскостям (100) и $(1\bar10)$, проходящим вдоль кристаллографических направлений [010] и [110] соответственно. Обнаружена анизотропия передачи максимальной энергии одному из группы (3–5) атомов, одновременно участвующих во взаимодействии, в зависимости от траектории движения иона. Установлены энергетические пороги распыления для указанных направлений.