RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2022, том 92, выпуск 11, страницы 1632–1642 (Mi jtf7467)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Теоретическая и математическая физика

Обобщенное приближение эффективного поля для неоднородной среды с включениями в многослойной оболочке

И. В. Лавров, В. В. Бардушкин, В. Б. Яковлев

Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Предложен подход для вычисления эффективных физических характеристик неоднородной среды с несколькими уровнями вложенности ее микроструктуры – обобщенное приближение эффективного поля. С помощью данного подхода получено выражение для тензора эффективной диэлектрической проницаемости неоднородной среды с эллипсоидальными включениями в многослойной оболочке, границы всех слоев которой являются эллипсоидами. Предложенный подход позволяет учитывать вероятностные распределения ориентаций и форм включений, а также наличие нескольких типов включений. Рассмотрены два случая матричных композитов: 1) со сферическими изотропными включениями с многослойной оболочкой; 2) с эллипсоидальными анизотропными включениями с многослойной оболочкой. Показано, что для неоднородной среды с однородными включениями данное приближение дает такой же результат, как обобщенное сингулярное приближение.

Ключевые слова: неоднородная среда, композит, матрица, включение, многослойная оболочка, обобщенное приближение эффективного поля, обобщенное сингулярное приближение, эффективная диэлектрическая проницаемость.

Поступила в редакцию: 14.05.2022
Исправленный вариант: 28.07.2022
Принята в печать: 29.08.2022

DOI: 10.21883/JTF.2022.11.53435.133-22



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025