Спектроскопия алмазных пластин, модифицированных электронными пучками

Пять монокристаллических алмазных пластин типа Ib, содержание азота в которых варьировалось от 9 до 106 ppm, были облучены дозой электронов 10$^{18}$ e/cm$^2$ энергией 3 MeV и подвергнуты отжигу в вакууме при температуре 1200$^\circ$C в течение 24 h. Методами инфракрасной спектроскопии и оптически детектируемого магнитного резонанса установлена зависимость величины сигнала резонанса от изменения концентрации замещающего азота в результате облучения электронами и последующего отжига.