Электролюминесценция NV-центров алмаза при температурах 450$^\circ$C–680$^\circ$C

Исследованы спектры электролюминесценции алмазного светоизлучающего $p$–$i$–$n$-диода на основе легированного азотом синтетического монокристалла алмаза ($n$-тип проводимости), выращенного методом роста при высоком давлении и температуре, и тонких, выращенных методом гомоэпитаксиального роста из газовой фазы, $i$-слоя алмаза c концентрацией азота 10$^{14}$–10$^{15}$ cm$^{-3}$ с азот-вакансионными и кремний-вакансионными оптически активными центрами, и слоя, сильно легированного бором ($p$-тип проводимости). Для повышения концентрации центров люминесценции диод был облучен пучком электронов с энергией 3 MeV дозой 5 $\cdot$ 10$^{17}$ cm$^{-2}$ с последующим отжигом при $T$ = 800$^\circ$C в вакууме в течение 2 h. Спектры электролюминесценции измерены при температурах в диапазоне 450$^\circ$C–680$^\circ$C как до облучения электронами, так и после. До облучения электронами максимум полосы электролюминесценции наблюдался в области длин волн 610–680 nm, в зависимости от температуры, напряжения и тока диода, а после облучения электронами и отжига – на длине волны 680 nm при $T$ = 575$^\circ$C–600$^\circ$C. Максимальная интегральная яркость излучения азот-вакансионными центрами $\sim$ 10$^{12}$ photon/s наблюдалась при $T$ = 575$^\circ$C после облучения электронами и отжига.