RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив
ЖТФ, 2025, том 95, выпуск 3, страницы 549–559 (Mi jtf7524)
Специальный выпуск по материалам Международной конференции "Наноуглерод и Алмаз" (НиА'2024)
Твердотельная электроника

Планаризация эпитаксиальных слоев HgCdTe, выращенных на подложках CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии

А. А. Трофимовa, И. А. Денисовb, Ю. Б. Андрусовb, М. Б. Гришечкинb, Д. О. Царегородцевa, А. М. Косяковаa, С. А. Курепинc, А. С. Смирновcd, В. Ю. Долматовe

a Государственный научный центр Российской Федерации, Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО ОРИОН", 111538 Москва, Россия
b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" им. Н.П. Сажина, 111524 Москва, Россия
c Научно-исследовательский машиностроительный институт им. В. В. Бахирева, 606002 Дзержинск, Нижегородская обл., Россия
d Самарский государственный технический университет, 443100 Самара, Россия
e Федеральное государственное унитарное предприятие "Специальное конструкторско-технологическое бюро "Технолог", 192076 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На образцах гетероэпитаксиальных структур HgCdTe, выращенных на изотипных подложках CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии в АО “Гиредмет”, исследована возможность обработки поверхности эпитаксиального слоя HgCdTe с применением субмикронных алмазов детонационного синтеза отечественного производства для прецизионного удаления террасного микрорельефа и получения зеркально гладкой поверхности с субнаношероховатым рельефом, пригодной для создания инфракрасных приборов.

Ключевые слова: HgCdTe, инфракрасные приборы, жидкофазная эпитаксия, химико-механическое полирование.

Поступила в редакцию: 11.10.2024
Исправленный вариант: 11.10.2024
Принята в печать: 11.10.2024

DOI: 10.61011/JTF.2025.03.59861.315-24



Реферативные базы данных:

© МИАН, 2025