Аннотация:
Получены выражения для коэффициентов Холла и магнетосопротивления тонкого полупроводникового слоя на границе гетероперехода, находящегося в поперечном магнитном поле. Для решения задачи использовалось квантовое уравнение Лиувилля. Рассматривались температуры, при которых уровни Ландау в плоскости пленки не учитывались. Влияние поверхностного рассеяния носителей заряда описано диффузно-зеркальными граничными условиями Соффера. Проведен анализ зависимости коэффициентов Холла и магнетосопротивления от индукции магнитного поля, электрохимического потенциала и параметра шероховатости.