Латеральный фотовольтаический эффект в структуре Fe$_3$O$_4$/SiO$_2$/$n$-Si: влияние толщины слоя SiO$_2$

Представлено исследование латерального фотовольтаического эффекта в структуре Fe$_3$O$_4$/SiO$_2$/$n$-Si с толщиной слоя оксида кремния 2 и 5 nm. Показано, что увеличение толщины слоя SiO$_2$ в исследуемой структуре приводит к изменению вида зависимостей чувствительности и нелинейности латерального фотонапряжения от толщины пленки Fe$_3$O$_4$, а также формы сигналов фотоотклика при импульсном освещении. Установлено, что изменение фоточувствительности в структуре Fe$_3$O$_4$/SiO$_2$/$n$-Si с увеличением толщины SiO$_2$ обусловлено как влиянием поверхностных и интерфейсных состояний на границе раздела SiO$_2$/$n$-Si, так и перераспределением проводимости каналов. Наличие экстремумов на толщинной зависимости фотовольтаических характеристик связано с квантово-размерным эффектом, модулирующим высоту встроенного барьера.