RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2025, том 95, выпуск 4, страницы 805–811 (Mi jtf7553)

Физическая электроника

Кинетика формирования силицидных фаз в тонкопленочной системе Yb-Si(111)

М. В. Кузьмин, Д. А. Мальков, С. В. Сорокина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы процессы формирования и физико-химические свойства силицидов иттербия в пленочной системе Yb-Si(111). Показано, что переход от металлического иттербия к силицидным пленкам со стехиометрией Yb$_5$Si$_3$, YbSi и YbSi$_{2-x}$ происходит при достижении температуры 400, 470 и 600 K соответственно. Пленка YbSi$_{2-x}$ имеет упорядоченную структуру (1 $\times$ 1) и сохраняется на поверхности кремния в интервале 600–1000 K. Определена работа выхода и валентное состояние атомов иттербия в силицидных пленках. Установлена оптимальная температура формирования пленки дисилицида иттербия эпитаксиального качества на исследованной поверхности Si(111).

Ключевые слова: поверхность, иттербий, силициды, электронная оже-спектроскопия, работа выхода.

Поступила в редакцию: 25.07.2024
Исправленный вариант: 27.11.2024
Принята в печать: 05.12.2024

DOI: 10.61011/JTF.2025.04.60016.243-24



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025