Влияние нановключений FeS на фотоэлектрические характеристики CdS:Fe

Проведена модификация поверхности монокристаллического CdS органическим покрытием арахината железа, полученным по технологии Ленгмюра–Блоджетт, с последующим отжигом полученной гибридной структуры. Показана возможность формирования гетерофазной структуры разбавленного магнитного полупроводника CdS–FeS, имеющего расширенный диапазон свойств. Проведено исследование химического состава до и после модификации поверхности CdS органическим покрытием. Варьирование числа нанесенных монослоев арахината железа позволило изменять параметры ограниченного источника железа в необходимых пределах, обеспечивая формирование на заданной глубине нановключений ферромагнитной фазы заданного размера. Прогнозирование размеров фазы FeS и ее распределения по глубине было осуществлено посредством моделирования одновременного протекающих процессов диффузии Fe, образования и преципитации наноразмерных включений магнитной фазы. Определено оптимальное количество монослоев в покрытии (25–35), которое обеспечивает образование преципитатов размером более 3 nm на глубине не менее 0.21 $\mu$m, и рост фоточувствительности полученного материала в 20–40 раз.