Электронный спектр сложных одномерных сверхрешеток (на основе полупроводниковых гетероструктур в системе Al/Ga/As)

На основе модели Кронига–Пенни исследована одномерная сверхрешетка со сложной элементарной ячейкой, состоящей из двух потенциальных ям и двух потенциальных барьеров с различными ширинами и высотами. В явном виде получено дисперсионное уравнение для такой структуры. Проведен численный анализ полученных уравнений и исследовано поведение электронного спектра сверхрешетки GaAs/Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As/GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As в зависимости от ширин ям и барьеров, а также их высот.