А. В. Емельянов, В. А. Демин, И. М. Антропов, Г. И. Целиков, З. В. Лаврухина, П. К. Кашкаров, “Влияние толщины слоев TiO$_x$/TiO$_2$ на их мемристорные свойства”, ЖТФ, 2015, том 85, выпуск 1,страницы 114

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Твердотельная электроника

Влияние толщины слоев TiO$_x$/TiO$_2$ на их мемристорные свойства

А. В. Емельянов^a, В. А. Демин^ab, И. М. Антропов^a, Г. И. Целиков^a, З. В. Лаврухина^a, П. К. Кашкаров^abc

^a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
^b Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Московская область, Россия
^c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Исследовано влияние толщины слоев гетероструктуры TiO$_x$/TiO$_2$ на ее мемристорные свойства. Методом oже-спектроскопии определена зависимость показателя стехиометрии изготовленных слоев от их толщины. Зависимость отношения сопротивлений в высоко- и низкоомном состояниях $R_{\mathrm{off}}/R_{\mathrm{on}}$ мемристорного элемента от толщины его слоев имеет немонотонный характер. Наибольшее значение $R_{\mathrm{off}}/R_{\mathrm{on}}$ = 200 получено при одинаковой толщине слоев TiO$_x$ и TiO$_2$, равной 30 nm.

Поступила в редакцию: 14.02.2014