Аннотация:
Показано, что в отличие от эпитаксиального графена на карбиде кремния, угол гигантского фарадеевского вращения в однослойном графене на диэлектрической подложке путем допирования затворным напряжением может быть доведен до нескольких радиан. Использование 2D-супракристаллов требует бо́льших, чем графен, значений индукции магнитного поля, но позволяет сдвинуть эффект в сторону больших частот проходящего через образец электромагнитного излучения.