Структурные трансформации в гомо- и гетерогенных системах на основе GaAs, обусловленные СВЧ-облучением

Проведены исследования влияния СВЧ-обработки ($f$ = 2.45 GHz, 1.5 W/cm$^2$, $t$ = 1, 2 min) на спектры оптического отражения и фотолюминесценции эпитаксиальных структур $n$–$n^+$–GaAs и Au–$n$–$n^+$–GaAs. Получено, что кратковременная СВЧ-обработка приводит к длинновременным немонотонным изменениям изучаемых характеристик, что может быть следствием модификации структуры приповерхностных областей эпитаксиальных пленок. Предложено объяснение длинновременых изменений оптических спектров исследуемых объектов после микроволновой обработки.