Исследование влияния зарядки халькогенидных стеклообразных полупроводников в коронном разряде на образование наложенных голографических дифракционных решеток

Исследована оптическая запись двух наложенных голографических решеток, которые были записаны в поле коронного разряда в структуре Ni–As$_2$S$_3$. Показано, что использование коронного разряда при записи в структуре Ni–As$_2$S$_3$ позволяет увеличить голографическую чувствительность этой структуры и дифракционную эффективность зарегистрированных решеток в несколько раз. Установлено, что при записи двух наложенных решеток поверхностный рельеф, полученный в результате химического травления голографических решеток, при записи которых использовался коронный разряд, является более однородным и отличается большей глубиной модуляции толщины поверхностного рельефа.