А. О. Сельский, А. А. Короновский, О. И. Москаленко, А. Е. Храмов, T. M. Fromhold, M. T. Greenaway, А. Г. Баланов, “Влияние межминизонного туннелирования на генерацию тока в полупроводниковой сверхрешетке”, ЖТФ, 2015, том 85, выпуск 4,страницы 62

Эта публикация цитируется в 1 статье

Твердотельная электроника

Влияние межминизонного туннелирования на генерацию тока в полупроводниковой сверхрешетке

А. О. Сельский^ab, А. А. Короновский^ab, О. И. Москаленко^ab, А. Е. Храмов^ab, T. M. Fromhold^c, M. T. Greenaway^c, А. Г. Баланов^ad

^a Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия
^b Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А., 410056 Саратов, Россия
^c School of Physics & Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UК
^d Department of Physics, Loughborough University, Loughborough, LE11 3TU, UK

Аннотация: Теоретически изучeнo влияние ширины запрещенной зоны между первой и второй энергетическими минизонами на транспорт заряда в полупроводниковой сверхрешетке, к которой приложены электрическое и наклонное магнитные поля. Были рассчитаны временные зависимости тока, протекающего через сверхрешетку, и построены зависимости амплитуды и частоты колебаний электрического тока от приложенного напряжения. Обнаружено, что межминизонное туннелирование электронов способствует уменьшению амплитуды колебаний тока, но в то же время увеличивает их частоту.

Поступила в редакцию: 07.11.2015