Атомно-молекулярная модель граничного трения в микротрибоконтактах поверхностей полупроводниковых и диэлектрических материалов

Рассмотрены механизмы механического и молекулярного трения полупроводниковых и диэлектрических подложек при трибометрическом взаимодействии их поверхностей. Показаны возможности применения теории И.В. Крагельского для аналитического определения механической составляющей силы трения и адгезионной модели трения, устанавливающих связь между параметрами механизма точечного трибометрического взаимодействия подложек, имеющих одинаковую степень загрязнения, и концентрацией органических молекул адсорбированных поверхностями. Полученная аналитическая зависимость позволяет определять концентрацию атомов и молекул, адсорбируемых поверхностью в пределах до 10$^{-10}$ g/cm$^2$. Расхождение теоретических и экспериментальных результатов не превышает 18%.