И. А. Аверин, С. Е. Игошина, В. А. Мошников, А. А. Карманов, И. А. Пронин, Е. И. Теруков, “Чувствительные элементы датчиков вакуума на основе пористых наноструктурированных пленок SiO$_2$–SnO$_2$, полученных золь-гель методом”, ЖТФ, 2015, том 85, выпуск 6,страницы 143

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Физические приборы и методы эксперимента

Чувствительные элементы датчиков вакуума на основе пористых наноструктурированных пленок SiO$_2$–SnO$_2$, полученных золь-гель методом

И. А. Аверин^a, С. Е. Игошина^a, В. А. Мошников^b, А. А. Карманов^a, И. А. Пронин^a, Е. И. Теруков^c

^a Пензенский государственный университет, 440026 Пенза, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197376 Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы пористые наноструктурированные пленки SiO$_2$–SnO$_2$, синтезируемые золь-гель методом, используемые в качестве чувствительных элементов датчиков вакуума. Для этого сформированы и проанализированы свойства пленок со сферической, лабиринтной и перколяционной сетчатой структурой. Показано, что при уменьшении давления ниже атмосферного происходит резкое уменьшение сопротивления чувствительных элементов на основе наноструктурированных пленок. Исследованы процессы, протекающие в пленках, при давлениях ниже атмосферного. Установлено, что десорбция паров воды приводит к увеличению сопротивления чувствительных элементов датчиков вакуума, а десорбция углекислого газа и кислорода вызывает его уменьшение, что хорошо согласуется с результатами экспериментов.

Поступила в редакцию: 20.10.2014