Термоинжекционная электрическая неустойчивость в мультибарьерных гетероструктурах. Теоретическая модель и экспериментальные результаты

Сформулировано упрощенное теоретическое описание термоинжекционной электрической неустойчивости в мультибарьерных гетероструктурах в терминах внутренней положительной обратной связи в каждом элементарном звене рассматриваемого гетерообъекта. В простейшей ситуации, отвечающей последовательности равновысоких гетеробарьеров, в качестве элементарного звена выбрана пара прилегающих друг к другу широкозонного и узкозонного слоев. Получены аналитические выражения для зависимостей тока и напряжения на структуре от электронной температуры на инжектирующей границе гетеробарьера и соответствующие бистабильные вольт-амперные характеристики. Приведена одна из типичных вольт-амперных характеристик с ярко выраженным участком отрицательного сопротивления, полученных в серии квазистатических, электрических измерений тестовых образцов, представляющих собой мультибарьерные мезаструктуры 12 $\mu$m в системе GaAs/AlGaAs.