Теллурид кадмия в пленках системы теллур-кадмий, сформированной ультрадисперсными частицами

Ионно-плазменным распылением и соосаждением на перемещающиеся относительно потока ультрадисперсных частиц Tе и Cd подложки впервые получены твердые растворы теллура в кадмии, кадмия в теллуре и кадмия в синтезированном непосредственно в процессе напыления теллуриде кадмия, что является подтверждением термофлуктуационного плавления и коалесценции малых частиц. Теллурид кадмия, сосуществующий в покрытии с аморфизованным твердым раствором теллура в кадмии, имеет параметр решетки меньше табличной величины и достигает ее при повышении концентрации кадмия в покрытии до 70 аt.%. Параметр гранецентрированной кубической решетки теллурида кадмия увеличивается с повышением концентрации кадмия в покрытии по линейной зависимости $a$ = 0.0002С$_{\mathrm{Cd}}$ + 0.6346 nm (где С$_{\mathrm{Cd}}$ – концентрация кадмия в покрытии, аt.%), что, возможно, свидетельствует о некотором расширении области гомогенности. Оценка размеров кристаллических частиц дала величину зерен теллурида кадмия 10–15 nm, что позволяет отнести покрытия к нанокристаллическим структурам. При исследовании спектров поглощения и пропускания пленок системы теллур-кадмий в области края фундаментального поглощения установлена значительно большая, чем у стехиометрического состава CdTe, ширина запрещенной зоны, что может быть объяснено условиями формирования кристаллической структуры.