З. Э. Мухтаров, З. А. Исаханов, Б. Е. Умирзаков, Т. Кодиров, Е. С. Эргашев, “Влияние имплантации ионов активных металлов на элементный и химический составы поверхности CdTe”, ЖТФ, 2015, том 85, выпуск 12,страницы 146

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Краткие сообщения

Влияние имплантации ионов активных металлов на элементный и химический составы поверхности CdTe

З. Э. Мухтаров^a, З. А. Исаханов^a, Б. Е. Умирзаков^a, Т. Кодиров^a, Е. С. Эргашев^b

^a Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз, 100125 Ташкент, Узбекистан
^b Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Изучено влияние бомбардировки ионами Ar$^+$ и Ba$^+$ на состав и электронную структуру поверхности пленок CdTe. Определены оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для получения нанопленки типа Cd$_{0.5}$Ва$_{0.5}$Te. Установлено, что значение $E_g$ трехкомпонентной пленки при изменении ее толщины от 20 до 40 nm уменьшается от 1.9 до 1.7 eV.

Поступила в редакцию: 20.03.2015