Нелинейные диэлектрические свойства планарных структур на основе сегнетоэлектрических пленок бетаинфосфита

Методом испарения при комнатной температуре на подложках из NdGaO$_3$(001) со встречно-штыревой системой электродов на поверхности выращены сегнетоэлектрические пленки частично дейтерированного бетаинфосфита, обладающие высокими значениями емкости в области сегнетоэлектрического фазового перехода. Диэлектрическая нелинейность полученных структур исследована в режимах слабосигнального и сильносигнального отклика, а также в переходной между этими режимами области по измерениям емкости в смещающем постоянном поле, измерениям петель диэлектрического гистерезиса и фурье-спектров выходного сигнала в схеме Сойера–Тауэра. В области фазового перехода коэффициент управления емкостью при смещающем напряжении $U_{\mathrm{bias}}$ = 40 V составляет $k\cong$ 7. Диэлектрическая нелинейность структур в парафазе описывается моделью Ландау фазового перехода 2-го рода. В сегнетофазе дополнительный вклад в нелинейность связан с движением доменных границ и проявляется при превышении амплитуды входного сигнала значения $U_{\mathrm{st}}\sim$ 0.7–1.0 V. Из анализа частотных зависимостей диэлектрического гистерезиса определены времена релаксации доменных границ.