Аннотация:
Обсужден новый подход к анализу рентгенодифракционных спектров многослойных структур. Особенностью подхода является использование информации о временах роста отдельных слоев. При этом по сравнению с обычной процедурой анализа уменьшается число варьируемых параметров. Повышаются стабильность и скорость сходимости процедуры подгонки вычисленного спектра к экспериментальному даже в случае большого числа слоев и малоинформативного эксперимента. Подход реализован за счет наложения связей на параметры модели при расчете спектра в программе Bruker DIFFRAC.Leptos. На примере многослойной SiGe/Si-структуры проведено сравнение нового подхода с обычной процедурой. Корректность нового подхода подтверждена сравнением с данными вторично-ионной масс-спектрометрии и просвечивающей электронной микроскопии. Обсуждены преимущества и ограничения предлагаемого метода.