Анизотропия спектров фотоотклика гетеропереходов на основе слоистых кристаллов GaSe и InSe

На сформированных гетеропереходах в плоскости торца от поверхности скола анизотропных кристаллов GaSe и InSe исследованы их спектры фотоотклика. Проведено сравнение этих спектров на естественных и химически обработанных гранях кристаллов. Предложен модифицированный способ выращивания кристаллов GaSe с естественным торцом слоев и методом атомно-силовой микроскопии исследована их поверхность.