Влияние СВЧ плазменной микрообработки на электронные свойства поверхности кристаллов кремния (100)

Рассмотрены возможности активного формирования электронных свойств поверхности полупроводниковых кристаллов за счет изменения условий их поверхностной обработки. Исследованиями поперечного электронного транспорта в гетероструктурах на основе кристаллов кремния (100) и туннельно-тонкой пленки аморфного гидрогенезированного карбида кремния показано, что вид вольт-амперных характеристик таких структур определяется различной плотностью ненасыщенных поверхностных связей, которые образуются при получении атомно-чистой поверхности кремниевых кристаллов заданной ориентации с использованием высокоионизованной СВЧ плазменной микрообработки в различных плазмообразующих средах.