Аннотация:
Методом оптической фотометрии в видимой области спектра проведены исследования образцов Al$_2$O$_3$ и ZnO, облученных ионами серебра с энергией 30 keV в широком интервале доз (0.25–1) $\cdot$ 10$^{17}$ ion/cm$^2$. Установлено, что на спектрах оптического пропускания облученных образцов появляется селективная полоса поверхностного плазмонного резонансного поглощения наночастиц серебра, интенсивность которой немонотонно зависит от дозы облучения. Проведены теоретические расчеты распределения ионов серебра по глубине в исследованных образцах. Показано, что наблюдаемая в эксперименте немонотонность обусловлена увеличением коэффициента распыления подложки с ростом дозы облучения. Установлено, что термический отжиг в вакууме имплантированных слоев Al$_2$O$_3$ до температур $\sim$ 700$^\circ$С ведет к заметному уменьшению ширины полосы плазмонного поглощения без существенного изменения ее интенсивности. При более высоких температурах отжига происходят ее уширение и уменьшение интенсивности. Обнаружено, что отжиг в аналогичных условиях облученных пленок ZnO приводит к их полному испарению.