Структурно-фазовые превращения в многослойной пленочной системе C/Si при отжиге

Методами малоугловой рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов изучена эволюция структуры многослойных периодических композиций C/Si. На межслоевых границах C/Si и Si/C в исходном состоянии обнаружены перемешанные зоны различной плотности толщиной 0.6–0.65 nm. Исследовано влияние отжига на толщину, плотность и фазовый состав слоев и перемешанных зон в диапазоне температур 300–1050$^\circ$C. Установлены две стадии изменения периода многослойной композиции при нагреве. При температурах до 700$^\circ$C происходит увеличение периода, при дальнейшем нагреве период уменьшается. Разрушение композиции начинается со слоев кремния, в которых формируются поры и нанокристаллы кубического 3C-SiC при 900$^\circ$C. Полное разрушение слоистой структуры композиции происходит при $T>$ 1000$^\circ$C.