Н. Н. Косырев, В. А. Швец, Н. Н. Михайлов, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, С. В. Рыхлицкий, И. А. Яковлев, “Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ”, ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 5,страницы 109

Оптика

Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ

Н. Н. Косырев^a, В. А. Швец^bc, Н. Н. Михайлов^c, С. Н. Варнаков^ad, С. Г. Овчинников^a, С. В. Рыхлицкий^c, И. А. Яковлев^a

^a Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^d Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия

Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров $\Psi$ и $\Delta$ непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO$_2$/Si(100) и Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te.

Поступила в редакцию: 07.06.2013