Метод анализа физических процессов в ВТСП, происходящих на границе раздела вихревых и мейснеровских областей

Разработана методика для зондирования объема образца при помощи фронта переменного затухающего магнитного поля, позволяющего выделить и исследовать физические процессы в сверхпроводниках, происходящих на вихревом фронте. Монотонно увеличивая на равные величины амплитуду поля, создается возможность исследования особенности образования и преобразования магнитной микроструктуры в зависимости от изменения кристаллографической микроструктуры образца. Для образцов с различной микроструктурой получены качественно новые результаты. Методику можно применить для тестирования эпитаксиальных пленок ВТСП и исследования магнитных материалов.