Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок

Исследована корреляция между главным параметром солнечного элемента – эффективностью (кпд) и его темновой вольт-амперной характеристикой. Выведено соотношение, выражающее приращение (уменьшение) эффективности через уменьшение (приращение) тока, измеряемого при заданном напряжении (2.4 V в настоящей работе). На базе полученных зависимостей протестировано 6 методов пассивации боковой поверхности трехпереходных InGaP/GaAs/Ge гетероструктур, выращенных методом металл-органической газофазной эпитаксии, с целью определить их воздействие на изменение темновой вольт-амперной характеристики. Показано, что влияние на кпд различных факторов (постростовых операций, повреждающих излучений и др.) устанавливается путем измерения изменений темновой вольт-амперной характеристики солнечных элементов.