Аннотация:
Впервые получены анизотипные гетеропереходы $n$-ZnSe/$p$-InSe и $n$-ZnSe/$p$-GaSe. Гетеропереходы были изготовлены на подложках из слоистых кристаллов GaSe и InSe путем отжига в парах Zn. Установлено, что полученные гетеропереходы являются фоточувствительными в ближней инфракрасной и видимой областях спектра.
Поступила в редакцию: 30.08.2013 Принята в печать: 22.01.2014