RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 8, страницы 102–105 (Mi jtf8171)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Твердотельная электроника

Фоточувствительные анизотипные гетеропереходы $n$-ZnSe/$p$-InSe и $n$-ZnSe/$p$-GaSe

З. Р. Кудринский, З. Д. Ковалюк

Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, 58001 Черновцы, Украина

Аннотация: Впервые получены анизотипные гетеропереходы $n$-ZnSe/$p$-InSe и $n$-ZnSe/$p$-GaSe. Гетеропереходы были изготовлены на подложках из слоистых кристаллов GaSe и InSe путем отжига в парах Zn. Установлено, что полученные гетеропереходы являются фоточувствительными в ближней инфракрасной и видимой областях спектра.

Поступила в редакцию: 30.08.2013
Принята в печать: 22.01.2014


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2014, 59:8, 1205–1208

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025