С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, М. А. Ременный, А. Ю. Рыбальченко, Н. М. Стусь, “Вольт-амперные характеристики и сбор фототока в радиально симметричных поверхностно облучаемых фотодиодах на основе InAsSb(P)”, ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 11,страницы 52

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердотельная электроника

Вольт-амперные характеристики и сбор фототока в радиально симметричных поверхностно облучаемых фотодиодах на основе InAsSb(P)

С. А. Карандашев^a, Б. А. Матвеев^a, В. И. Ратушный^b, М. А. Ременный^a, А. Ю. Рыбальченко^b, Н. М. Стусь^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Волгодонский инженерно-технический институт – филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, 347360 Волгодонск, Ростовская область, Россия

Аннотация: Проведен расчет вольт-амперных характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе InAsSb(P) в рамках простой модели, учитывающей радиальное изменение латерального сопротивления слоя полупроводника на облучаемой стороне. Показана применимость предложенной модели для прогнозирования особенностей распределения плотности фототока и их влияния на чувствительность фотодиодов.

Поступила в редакцию: 15.07.2013
Принята в печать: 21.04.2014