Особенности электронной структуры наноразмерных ионно-имплантированных слоев в кремнии

Методами фото- и вторичной электронно-электронной спектроскопии исследовано влияние имплантации ионов Ва, Р, В и щелочных элементов с низкой энергией ($E_0<$ 5 keV) на электронную структуру тонкой приповерхностной области монокристаллов Si(111) $p$ и $n$-типа. Показано, что высокодозная ионная имплантация независимо от типа иона приводит к резкому сужению ширины запрещенной зоны кремния, что объясняется перекрытием волновых функций электронов атомов примеси и образованием примесной подзоны, которая перекрывается с разрешенной зоной. После имплантационного термического отжига авторами впервые получены пленки SiP, BaSi, SiB$_3$ с наноразмерными толшинами. Определены оптимальные режимы ионной имплантации и последующего отжига для формирования силицидных пленок и исследована их электронная структура.