П. Б. Болдыревский, А. Г. Коровин, С. А. Денисов, С. П. Светлов, В. Г. Шенгуров, “Исследование однородности толщин слоев кремния, выращенных в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии из сублимационного источника”, ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 11,страницы 155

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Исследование однородности толщин слоев кремния, выращенных в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии из сублимационного источника

П. Б. Болдыревский^a, А. Г. Коровин^a, С. А. Денисов^b, С. П. Светлов^b, В. Г. Шенгуров^b

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Проведены экспериментальные исследования и теоретические расчеты распределения значений толщины эпитаксиального слоя по площади подложки для процесса осаждения из молекулярного пучка, формируемого в вакууме сублимационным источником. Полученные расчетные данные достаточно хорошо согласуются с экспериментом для молекулярно-лучевой эпитаксии кремния.

Поступила в редакцию: 20.03.2014