Влияние верхнего буферного слоя на токонесущую способность композитных ВТСП лент

Проведен сравнительный анализ влияния верхнего буферного слоя на транспортные характеристики композитных высокотемпературных сверхпроводящих лент. Исследованы два наиболее распространенных материала – диоксид церия CeO$_2$ и манганит лантана LaMnO$_3$. Показано, что замена CeO$_2$ на LaMnO$_3$ приводит к увеличению характерной толщины сверхпроводящего слоя, на которой плотность критического тока падает в $e$ раз, с 0.9 до 1.2 $\mu$m. При ориентации внешнего магнитного поля в плоскости ленты образцы обеих архитектур показали одинаковый критический ток. При перпендикулярной ориентации поля образцы с LaMnO$_3$ продемонстрировали более высокие критические токи, что указывает на увеличение концентрации центров пиннинга перпендикулярных плоскости ленты. Из-за отсутствия эффекта самоэпитаксии для LaMnO$_3$ полностью заменить им CeO$_2$ на подложках с умеренной текстурой нельзя.