Метод формирования кристаллических наноструктур из аморфных пленок диоксида ванадия

Предложен метод прецизионного формирования кристаллических наноструктур диоксида ванадия из тонких сплошных амфорных пленок оксида ванадия, выращенных на подложках кремния. Высокая точность формируемых нанообъектов достигнута за счет использования технологий атомно-слоевого осаждения и окислительной сканирующей зондовой литографии. Кристаллизация сформированных аморфных наноструктур происходит в результате температурного отжига в вакууме, при этом размер формируемых нанокристаллов задается толщиной исходной аморфной пленки и геометрией аморфных наноструктур. Получены как одиночные поликристаллические наноструктуры, так и упорядоченные массивы наноструктур, состоящих из групп одиночных нанокристаллов. Латеральные размеры кристаллических наноструктур составили менее 100 nm. Размер одиночных нанокристаллов диоксида ванадия составил от 5 nm в высоту и от 50 nm в диаметре.