Многоэлементный однофотонный детектор большой площади

Новые области применения сверхпроводниковых однофотонных детекторов повышают требования к большой активной площади детекторов. Разработан дизайн и изготовлен 12-пиксельный NbN-детектор с большой активной областью и с шириной полоски 500 nm и размером активной площади 45 $\times$ 50 $\mu$m, что подходит для согласования с многомодовым оптоволокном. Исследованы вольт-амперные характеристики и определен критический ток образца $I_c$. Это значение было сопоставлено с максимально возможным теоретическим значением тока распаривания $I_{dep}$. Благодаря дизайну многоэлементного NbN-детектора, исключающему влияние эффекта сгущения тока, большинство исследуемых образцов продемонстрироваали значение $I_c/I_{dep}$, превышающее 0.7. Результаты показали, что большинство пикселей на исследуемом многоэлементном детекторе способны детектировать одиночные фотоны.