Влияние лазерного облучения на структуру и свойства столбчатых диэлектрических кластеров в сверхпроводящих пленках YBaCuO

Исследовано влияние лазерного облучения на структуру и свойства эпитаксиальных сверхпроводящих пленок YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ ($T_c$ = 90–91 K), выращенных на подложках SrTiO$_3$ и LaAlO$_3$ и имеющих систему пирамидальных выступов, встроенных в основной монокристаллической структуре пленок с ориентацией системы плоскостей $(00l)$, параллельных поверхности подложки. Показано, что выступы представляют собой ростовые дефекты, являющиеся результатом релаксации накапливающихся напряжений за счет несоответствия кристаллографических параметров растущих слоев пленки и подложки. Возникающие в результате релаксации напряжений островки структуры приобретают ориентацию $(11l)$ или $(10l)$ и растут вверх над пленкой, прорастая сквозь ее слои. Показано, что с помощью лазерного облучения в режиме коротких импульсов можно модифицировать структуру диэлектрических кластеров и сгладить рельеф поверхности пленок при незначительном (на 5–10%) уменьшении концентрации сверхпроводящей фазы. Увеличение плотности энергии выше 100 mJ/cm$^2$ и количества импульсов выше пяти вызывает увеличение объема диэлектрических фаз и ухудшение параметров образцов.