Подповерхностная локализация носителей заряда в наноструктурах Si/SiO$_2$/Si$_x$Ge$_{1-x}$

Исследованиями вольт-фарадных $(F-V)$ характеристик обнаружена повышенная концентрация носителей заряда под поверхностью кремниевой подкладки вследствие возникновения в ней упругонапряженных областей, индуцированных наноостровками Si$_x$Ge$_{1-x}$, выращенных на предварительно окисленной поверхности Si. $F$–$V$-характеристики демонстрируют пики зарядовой плотности на глубине от 700 до 1000 nm для структур Si/SiO$_2$/Si$_x$Ge$_{1-x}$ с различной толщиной слоя SiO$_2$. Результаты теоретических расчетов распределения электронной плотности в глубине кремниевой подкладки в целом соответствуют данным $F$–$V$-характеристик. Состояние границ раздела структуры с разной толщиной слоя окисла, влияющее на эффекты поверхностной и интерфейсной рекомбинации, рассеяния носителей заряда, исследовалось с помощью кинетики спада сигнала фотоэдс, а также ее распределения по поверхности структуры. Полученные результаты могут найти применение при разработке различных устройств на базе SiGe с включениями оксидных слоев.