Аннотация:
Представлены экспериментальные результаты измерений параметров микрополосковой коммутирующей сверхвысокочастотной интегральной схемы в диапазоне частот 3–7 GHz на подложке из поликристаллической алмазной пленки толщиной $\sim$ 100 $\mu$m. Показано, что затухание в экспериментальных модуляторах в открытом состоянии не превышает 1.5 dB, а в закрытом составляет не менее 30 dB. Приведен физико-химический анализ технологии формирования многослойной контактной металлизации к синтетическому алмазу и кремниевому $p$–$i$–$n$-диоду. Показана ее термостойкость до температуры 400$^\circ$C.
Поступила в редакцию: 24.11.2011 Принята в печать: 16.04.2012