RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2013, том 83, выпуск 3, страницы 113–117 (Mi jtf8388)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Радиофизика

Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки

В. В. Басанецa, Н. С. Болтовецa, А. В. Гуцулa, А. В. Зоренкоa, В. Г. Ральченкоb, А. Е. Беляевc, В. П. Кладькоc, Р. В. Конаковаc, Я. Я. Кудрикc, А. В. Кучукc, В. В. Миленинc

a Научно-исследовательский институт "Орион", Киев
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
c Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Представлены экспериментальные результаты измерений параметров микрополосковой коммутирующей сверхвысокочастотной интегральной схемы в диапазоне частот 3–7 GHz на подложке из поликристаллической алмазной пленки толщиной $\sim$ 100 $\mu$m. Показано, что затухание в экспериментальных модуляторах в открытом состоянии не превышает 1.5 dB, а в закрытом составляет не менее 30 dB. Приведен физико-химический анализ технологии формирования многослойной контактной металлизации к синтетическому алмазу и кремниевому $p$$i$$n$-диоду. Показана ее термостойкость до температуры 400$^\circ$C.

Поступила в редакцию: 24.11.2011
Принята в печать: 16.04.2012


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2013, 58:3, 420–424

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025