Усовершенствование электронного тороидального спектрометра для растрового электронного микроскопа и его новые применения в диагностике структур микро- и наноэлектроники

Описана новая версия электростатического тороидального спектрометра электронов, инсталлированного в сканирующий электронный микроскоп. Прибор позволил провести научно-исследовательские и прикладные работы в области высоколокальной неразрушающей диагностики материалов и приборных структур микро- и наноэлектроники. Приведены примеры по топологическому контролю трехмерных микроструктур методом томографии в обратнорассеянных электронах. Показана высокая эффективность приема энергетической фильтрации вторичных электронов при мониторинге локально легированных участков примесями $p$- и $n$-типа в полупроводниковых кристаллах. Дано физическое обоснование высокого контраста изображений легированных областей. Продемонстрирована возможность измерения в сканирующем электронном микроскопе спектров электронов во всем энергетическом диапазоне от медленных вторичных до упругоотраженных.