Влияние давления на атомную и электронную структуру энстатита MgSiO$_3$ : Ab initio расчет

Проведено компьютерное моделирование влияния давления на атомную и электронную структуру MgSiO$_3$. Полученные результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными. Показано, что при увеличении давления от 0 до 2 GPa ширина запрещенной зоны увеличивается от 4.67 до 4.74 eV. Увеличение ширины запрещенной зоны происходит за счет перераспределения электронного заряда на атомах и в структуре энстатита.